JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi. Samsung visar 8 Gbit fasväxlingsminne

Kretsen är tillverkad i 20 nm och innebär ett rejält kliv uppåt i jämförelse det minne på 1 Gbit i 58 nm som Samsung visade upp i februari.
Kretsen kommer att demonstreras på konferensen International Electron Devices Meeting i Washington nästa vecka och på ISSCC i februari i San Francisco.

Den har en drivspänning på 1,8 V och kan skrivas i 40 Mbyte/s.

Samsung och Micron är de två företag som ligger närmast att kunna erbjuda fasväxlingsminnen kommersiellt. Tekniken är ickeflyktig men har ännu inte lyckats komma ikapp flashminnena storleksmässigt.

Prenumerera på Elektroniktidningens nyhetsbrev eller på vårt magasin.


MER LÄSNING:
 
KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vakant

Sälj och marknads­föring +46(0)734-171099 ads@etn.se
Per Henricsson
Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

 
Jan Tångring
Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)