JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.
 Annonsera Utgivningsplan Månadsmagasinet Prenumerera Konsultguide Om oss  About / Advertise

Minnestillverkaren SK Hynix – i fjol rankad som världens tredje största halvledartillverkare – har lanserat vad företaget hävdar är världens första så kallade 4D NAND-flash som lagrar tre bitar per cell. Minnestekniken ger högre densitet, men skriver och läser också snabbare än företagets tidigare 3D-minne. Först ut är ett chip i 96 lager som lagrar 512 Gbit.

SK Hynix påstår sig vara först i världen att kombinera 3D CTF-teknik med PUC-teknik, där CTF står för Charge Trap Flash och kan liknas vid laddningsfångst medan PUC är kort för Periphery Under Cell.

PUC innebär att chipets logik placeras direkt under flashcellen. Andra minnesföretag gör motsvarande, men kallar det något annat. Micron kallar det exempelvis CMOS Under the Array (CUA), medan Samsung kallar det Core Over Periphery (COP).

Kombinationen 3D CTF och PUC ligger bakom att företaget menar att minnet har en 4D-struktur.

Det nya chipet kan alltså lagra 64 Gbyte, och planen är att det ska ta steget mot volym redan innan årsskiftet. Jämfört med SK Hynix 3D NAND med samma lagringskapacitet är 4D-chipet 30 procent mindre.

Samtidigt skriver det 30 procent snabbare och har 25 procent bättre läsprestanda. Tack vare en ny gate-arkitektur, kallad multiple gate insulator, kan minnet skyffla data i 1200 Mbps vid 1,2 V.

MER LÄSNING:
 
Branschens egen tidning
För dig i branschen kostar det inget att prenumerera på vårt snygga pappers­magasin.

Klicka här!
SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vi gör Elektroniktidningen

Anne-Charlotte Sparrvik

Anne-Charlotte
Sparrvik

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Anna Wennberg

Anna
Wennberg
+46(0)734-171311 anna@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)