Skriv ut

Koreanska Samsung har staplat 16 stycken 512 gigabit-chips i en minneskrets som kommer att ge nästa generation highend-mobiler en svindlande lagringskapacitet på 1 terabyte. Kretsen volymtillverkas nu.

Drömgränsen på 1 terabyte sekundärminne i mobiltelefoner kommer att passeras i Samsungs kommande mobiltelefon Galaxy S10. Minneskretsen tillverkas i femte generationen av företagets V-NAND-teknik.

Minneskretsen rymmer till exempel 260 stycken tiominutersvideor i 4K UHD. Det är 20 gånger mer än en typisk smarttelefon av idag, påpekar företaget nöjt. 

Kretsen mäter 11,5 mm x 13,0 mm och stöder Jedecstandarden eUFS 2.1, Embedded UFS.

Samsung tror att mobiltelefonkonkurrenterna står på kö för att också de kunna bygga terabytetelefoner, och företaget kommer under året att steg för steg expandera produktionen av 512 gigabit-chipen i sin fabrik i Pyeongtaek.

Sekventiell lästakt är 1000 Mbyte/s vilket betyder att den på ett djupt andetag läser en DVD-film på 4,7 gigabyte. Det är dubbelt så snabbt som en typisk SSD-disk du köper i handeln idag och tio gånger snabbare än ett SD-minneskort.

Kretsen kan göra 50 000 skrivningar/s (IOPS) vilket enligt Samsung räcker för att filma i ett slowmotiontempo på 960 bilder/sekund. Det betyder också att filmning med högupplöst stereo- och multikamera blir ett ickeproblem. Micro SD-kort kommer inte i närheten av denna prestanda med sin skrivfrekvens på upp till 100 IOPS.

I tabellen nedan kan du se hur Samsungs eUFS-minnen på fyra år utvecklats från en kapacitet på 128 Gbyte till dagens 1 terabyte samtidigt som sekventiell läsning gått upp från 350 till 1000 Mbyte/s och sekventiell skrivning från 150 till 260 Mbyte/s.

Datum Gbyte Läser seriellt Mbyte/s Skriver seriellt Mbyte/s Läsningar/s (IOPS) Skrivningar/s (IOPS)
Januari
2019
1024 1000 260 58 000 50 000
November
2017
512 860 255 42 000 40 000
Februari
2016
256 850 260 45 000 40 000
Januari
2015
128 350 150 19 000 14 000