Egentligen handlar det om två familjemedlemmar som International Rectifier släpper idag, iP2010 och iP2011. Båda är tillverkade i galliumnitrid och siktar på multiphase- och POL-tillämpningar (point-of-load).
Kretsen iP2011 klarar 7 till 13,2 V in, 0,6 till 5,5 V ut och levererar som mest 20 A. Kretsen kan switcha med hela 5 MHz, vilket innebär att storleken på de passiva kringkomponenter som används kan krympas rejält jämfört med då kiseldito används, hävdar IR.
Systerkretsen iP2010 hanterar samma spänningsnivår som iP2011 men switchar maximalt med 3 MHz, och levererar hela 30 A.
Kretsarna finns tillgängliga och är benkompatibla. De kommer kapslade i LGA, som mäter 7,7 x 6,5 mm.
fredag 10 februari 2012vecka 6
|
|
