Japanska Hitachi har alltså tankar på att bilda ett nytt minnesbolag kring sin forskning inom magnetiska minnes, så kallade SPRAM eller STT-RAM(spin-transfer torque RAM). Det hävdar sajten EETimes, som dock menar att inget ännu är beslutat.

SPRAM är vad man kallar nästa generation magnetiska minnen (MRAM). Dessa minen har många fördelar, bland annat kan de skrivas och läsas i stort sätt obegränsat antal gånger, men hittills har det visat sig vara svårt att tillverka magnetiska minnen i stora volymer.

Hitachi sägs ha utvecklat SPRAM sedan år 2002 i samarbete med Tohoku University. Så sent som för en månad sedan rapporterade de två framsteg i form av minnesceller i storleken 4F2 och 6F2 ämnade som DRAM-ersättare. Nästa steg är att ta fram SPRAM som kan användas för att ersätta NAND-flash, hävdar Hitachi, som planerar att lansera minnen som lagrar 16 Mbit och 32 Mbit år 2012 samt minne som lagrar 256 Mbit och  Gbit redan år 2015.

Hitachi är emellertid på intet sätt ensamt om att satsa på detta minnesområde. Flera företag, däribland Avalanche, Crocus Technology, Everspin, Grandis, Hynix, IBM-TDK, Qualcomm, Renesas, Samsung, TSMC och Toshiba, är engagerade i utvecklingen av STT-RAM.

STT innebär att data skrivs genom att man arrangerar elektronens spinn i en viss riktning med hjälp av en ström som är polariserad i samma riktning som själva elektronerna