15/6 2010 Toshiba gör transistor med nanotrådar

Dagens planära transistorer är på väg att bli så tunna att de inte längre går att krympa. De kritiska lagren består snart av bara några atomlager vilket gör det omöjligt att hålla tillbaka läckströmmen mellan source och drain.

Lösningen är någon form av tredimensionell struktur. En möjlighet är att tillverka nanotrådar som får utgöra kanalen mellan source och drain. Med nanotrådar går det att minska läckströmmarna så att de blir acceptabla.

Ett av problemen har varit den höga resistansen i nanotrådarna men Toshiba säger sig nu ha löst det problemet. Företaget har tillverkat en transistor som ger 1 mA/µm i aktivt läge men inte är mer än 100nA/μm i läckage när transistorn är avstängd.

Resultaten presenteras på konferensen VLSI Technology på Hawaii.