Annons

onsdag 16 april 2014vecka 16
twitterfblinkedin
HEM Analogt Digitalt Distribution Energi Fordon FPGA, asic & EDA Inbyggda system Kommunikation Medicin Opto Passivt & förbindning Produktion Strömförsörjning Test & mät

Imec skalar resistiva minnen Visa endast artikeln (fr utskrift)
Av Anna Wennberg (anna@etn.se)
2012-06-15  Det belgiska forskningsinstitutet Imec slår ett slag för resistivt RAM på VLSI Technology Symposium, som pågår på Hawaii just nu. Den resistiva minnestekniken är snabbare, kompaktare och energisnålare än andra, och den kan masstillverkas under 20 nm, hävdar forskningsinstitutet.

Imec driver sin utveckling av resistiva RAM (RRAM) i samarbete med en hel drös företag, däribland Globalfoundries, Intel, Micron, Panasonic, Samsung, TSMC, Elpida, SK Hynix, Fujitsu, Toshiba/Sandisk och Sony. Förhoppningen är att de resistiva  minnena på sikt ska ersätta alla typer av minnen, även NAND och DRAM

På VLSI demonstrerar forskningsinstitutet en asymmetrisk bipolär RRAM-cell som drar mindre än 500 nA. Funktionen baseras på en spänningsstyrd resistansförändring i dielektrikat där arkitekturen varvar metall och isolator i flera skikt.

Medan HP – vars mål är att ha kommersiella RRAM framme under nästa år – använder titaniumoxid i sandwich-strukturen i sina memristorer använder Imec hafniumdioxid (HfO2).  Imec hävdar att deras stackningsprocess banar väg för att cellen kan skala under 10 x 10 nm samtidigt som den fortfarande är väldigt robust.

– Vi har kommit ifrån begränsningarna i skalningen som konventionella flashminnen har, säger Malgorzata Jurczak, som är ansvarig för minnesprogrammet på Imec.
 
KOMMENTERAT
Kommentarer via Disqus

Administration Jan Tångring
Annonser Anne-Charlotte Sparrvik
Redaktion red@etn.se
Ansvarig utgivare Anna Wennberg på uppdrag av Elektroniktidningen Sverige AB
© Elektroniktidningen Sverige AB
Publiceringssystem Joomla, webbhotell Glesys
Smal annons
Annons
Annons

Sök komponent
(demoversion)