Imec driver sin utveckling av resistiva RAM (RRAM) i samarbete med en hel drös företag, däribland Globalfoundries, Intel, Micron, Panasonic, Samsung, TSMC, Elpida, SK Hynix, Fujitsu, Toshiba/Sandisk och Sony. Förhoppningen är att de resistiva  minnena på sikt ska ersätta alla typer av minnen, även NAND och DRAM

På VLSI demonstrerar forskningsinstitutet en asymmetrisk bipolär RRAM-cell som drar mindre än 500 nA. Funktionen baseras på en spänningsstyrd resistansförändring i dielektrikat där arkitekturen varvar metall och isolator i flera skikt.

Medan HP – vars mål är att ha kommersiella RRAM framme under nästa år – använder titaniumoxid i sandwich-strukturen i sina memristorer använder Imec hafniumdioxid (HfO2).  Imec hävdar att deras stackningsprocess banar väg för att cellen kan skala under 10 x 10 nm samtidigt som den fortfarande är väldigt robust.

– Vi har kommit ifrån begränsningarna i skalningen som konventionella flashminnen har, säger Malgorzata Jurczak, som är ansvarig för minnesprogrammet på Imec.